Силовые полупроводниковые элементы регулируемого электропривода.

Реферат. Силовые полупроводниковые элементы регулируемого электропривода. Скачать бесплатно.

Фрагменты работы:

Выбор базового ключевого элемента играет решающую роль в конструировании преобразователя любого типа. Преобразование электроэнергии постоянно нуждается в идеальном ключе. Такой ключ должен иметь следующие основные характеристики:

· большой ток;

· высокое напряжение;

· малые потери (статические и динамические);

· высокую частоту (быстрое переключение);

· высокую надежность;

· компактную конструкцию (низкие потери).

Эти идеалы в разработке приборов реализуются двумя путями: через структуру транзистора и через структуру тиристора, при этом основным достоинством тиристора являются низкие статические потери, а транзистора – его хорошая способность к выключению.

В настоящее время основными приборами мощной силовой электроники являются:

· традиционные тиристоры SCR;

· запираемые тиристоры  GTO;

· биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT;

· коммутируемые по электроду управления тиристоры IGCT.

На сегодня основные статические параметры GTO сравнимы с таковыми для обыкновенных тиристоров. Главный недостаток GTO – значительные токи управления, приводящие к необходимости создания громоздких и мощных блоков управления и систем передачи энергии на управляющий электрод тиристоров.

IGBT уступают  GTO по статическим параметрам, но принципиально превосходят их по динамике       (прежде всего, по времени включения и запирания). Кроме того, IGBT, имеющий в составе своего электрода управления полевой транзистор, не требует больших токов для запуска процессов включения и запирания, тем самым облегчая систему управления. В настоящее время транзисторы IGBT выпускаются, как правило, в виде модулей с односторонним прижимом и охлаждением, и только компания «Toshiba Semiconductur Group» сообщает о создании IGBT в таблеточном корпусе что позволяет осуществить таблеточном корпусе что позволяет осуществить двухстороннее охлаждение прибора.

В IGCT комплексно реализованы требования к силовому ключевому элементу. Он одновременно сочетает в себе симметричную таблеточную конструкцию с двухсторонним теплоотводом, имеет минимальное падение напряжения во включенном состоянии, не требует высокоэнергоемких цепей питания блоков управления, обладает достаточной помехоустойчивостью при невысоких динамических потерях и, в силу особенностей требуемого управляющего импульса (крутизна тока запирания до 3000 А/мкс) отличаются идентичностью динамических характеристик. В результате почти на порядок уменьшается (по сравнению с GTО) время коммутации, снижаются коммутационные потери. IGCT  работают без снабберной емкости. Кроме того, в IGCT имеется интегрированный на одном кристалле обратный быстро восстанавливающийся диод.

Здесь можно заказать контрольную работу по менеджменту быстро.

Скачать весь реферат:

СКАЧАТЬ ТУТ