Силовые полупроводниковые элементы регулируемого электропривода.
Реферат. Силовые полупроводниковые элементы регулируемого электропривода. Скачать бесплатно.
Фрагменты работы:
Выбор базового ключевого элемента играет решающую роль в конструировании преобразователя любого типа. Преобразование электроэнергии постоянно нуждается в идеальном ключе. Такой ключ должен иметь следующие основные характеристики:
· большой ток;
· высокое напряжение;
· малые потери (статические и динамические);
· высокую частоту (быстрое переключение);
· высокую надежность;
· компактную конструкцию (низкие потери).
Эти идеалы в разработке приборов реализуются двумя путями: через структуру транзистора и через структуру тиристора, при этом основным достоинством тиристора являются низкие статические потери, а транзистора – его хорошая способность к выключению.
В настоящее время основными приборами мощной силовой электроники являются:
· традиционные тиристоры SCR;
· запираемые тиристоры GTO;
· биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT;
· коммутируемые по электроду управления тиристоры IGCT.
На сегодня основные статические параметры GTO сравнимы с таковыми для обыкновенных тиристоров. Главный недостаток GTO – значительные токи управления, приводящие к необходимости создания громоздких и мощных блоков управления и систем передачи энергии на управляющий электрод тиристоров.
IGBT уступают GTO по статическим параметрам, но принципиально превосходят их по динамике (прежде всего, по времени включения и запирания). Кроме того, IGBT, имеющий в составе своего электрода управления полевой транзистор, не требует больших токов для запуска процессов включения и запирания, тем самым облегчая систему управления. В настоящее время транзисторы IGBT выпускаются, как правило, в виде модулей с односторонним прижимом и охлаждением, и только компания «Toshiba Semiconductur Group» сообщает о создании IGBT в таблеточном корпусе что позволяет осуществить таблеточном корпусе что позволяет осуществить двухстороннее охлаждение прибора.
В IGCT комплексно реализованы требования к силовому ключевому элементу. Он одновременно сочетает в себе симметричную таблеточную конструкцию с двухсторонним теплоотводом, имеет минимальное падение напряжения во включенном состоянии, не требует высокоэнергоемких цепей питания блоков управления, обладает достаточной помехоустойчивостью при невысоких динамических потерях и, в силу особенностей требуемого управляющего импульса (крутизна тока запирания до 3000 А/мкс) отличаются идентичностью динамических характеристик. В результате почти на порядок уменьшается (по сравнению с GTО) время коммутации, снижаются коммутационные потери. IGCT работают без снабберной емкости. Кроме того, в IGCT имеется интегрированный на одном кристалле обратный быстро восстанавливающийся диод.
Здесь можно заказать контрольную работу по менеджменту быстро.
Скачать весь реферат:
|
