Диплом Моделирование учебного процесса. Учебная работа № 139642
Количество страниц учебной работы: 75
Содержание:
Введение
Глава 1. Моделирование учебного процесса на примере темы : “ Издержки производства и себестоимость продукции сельхозпредприятий.
1.1 Идея технологии проблемно-модульного обучения.
1.2 Состав методических документов , моделирующих педагогическую систему.
1.3 Поняти учебной программы , как одного из компонентов эскизной модели педагогической системы.
1.4 Основные элементы современной педагогической системы, моделируемые в программе.
1.5 Отображение в программе точно поставленной цели.
1.6 Методика задания цели и объективного контроля формирования опыта ( профессионального мастерства ) специалиста .
Глава 2. Методика проведения занятий по теме : “ Издержки производства и себестоимость продукции сельхозпроизводства .
2.1 Межпредметные и внутрипредметные связи и их использование в преподавании.
2.2 Методика проведения теоретического урока по теме : “ Издержки производства и себестоимость продукции сельхозпредпрития.
2.3 Методика проведения практического занятия по теме : “ Издержки производства и себестоимость продукции сельхозпредприятия.
2.4 Автоматизация контроля знаний по теме : “ Издержки производства и себестоимость продукции сельхозпредприятия “ .
Глава 3. Дидактическая эффективность использования ЭВМ в моделировании учебного процесса.
3.1 Использование компьютера в моделировании учебного процесса.
3.2 Дидактическая эффективность использования ЭВМ при моделировании учебного процесса.
Выводы и предложения.
Литература
Учебная работа № 139642. Диплом Моделирование учебного процесса
Выдержка из похожей работы
атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные
области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным
образом возможностью предсказания и управления электрическими и
механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях
имплантирования. Наиболее распространенным применением ИИ в технологии формирования
СБИС является процесс ионного легирования кремния. Часто приходится
проводить имплантацию атомов в подложку, которая покрыта одним или
несколькими слоями различных материалов. Ими могут быть как тонкие слои
тяжелых металлов (например, Та или TaSi2), так и диэлектриков.
Существование многослойной структуры способно вызвать резкие перепады в
профиле легирования на границе отдельных слоев. За счет столкновения ионов
с атомами приповерхностных слоев последние могут быть выбиты в более
глубокие области легируемого материала. Такие «осколочные эффекты» способны
вызвать ухудшение электрических характеристик готовых приборов. Во многих случаях для получения необходимого профиля распределения
легирующей примеси в подложке применяют метод, основанный на
предварительной загонке ионов с их последующей термической разгонкой в
мишени. Пр…
