Диплом Особенности построения монолога описания старших дошкольников с ОНР III уровня. Учебная работа № 137413

Учебная работа № 137413. Диплом Особенности построения монолога описания старших дошкольников с ОНР III уровня

Выдержка из похожей работы

…ция обеспечивает требуемые число ячеек памяти ЗУ NЗУ и их разрядность nЗУ. В модуль ЗУ входят также схемы
согласования выходных и входных информационных и адресных сигналов и схема
дешифратора адреса.

Требуемая разрядность nЗУ
БЗУ и число ячеек памяти NЗУ определяется в
соответствии с выражениями

nЗУ = nа; NЗУ = NЗНС * NТС,

а информационная емкость
—

CБЗУ = NЗУ * nЗУ.

Требуемое быстродействие
(разрешающая способность) определяется исходя из требуемого времени выборки
относительно адреса:

tА £ bГ (1 — aС)
/ (NЗНТС fС) – tвПЗУ – tDCrA — tDСОГЛ,

где tвПЗУ — время выборки ПЗУ знакогенератора;
tDCrA и tDСОГЛ — время задержки в счетчике адреса и
согласующих схем.

Выбор типа БИС ОЗУ из
выпускаемых промышленностью определяется требуемым быстродействием и
информационной емкостью БЗУ. Разрядность накопителя nНК должна быть кратна разрядности БЗУ nЗУ. Коэффициент кратности определяет число БИС ОЗУ НК
mP в ряду матрицы накопителей и должно
быть целочисленным:

nНК = nЗУ / mP.

Аналогичные условия
накладываются относительно числа ячеек памяти накопителя NНК:

NНК = NЗУ / mСТ.

Тогда общее количество
БИС ОЗУ НК, входящих в модуль ЗУ

m = mP * mСТ.

При mP ¹ 1 и mС ¹ 1 организуют ЗУ (форматирование информационных входных и выходных цепей
модуля), объединяя все одноименные информационные вход…